高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイス

開放特許情報番号
L2008002732
開放特許情報登録日
2008/6/6
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2008-028337
出願日 2008/2/8
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-188282
公開日 2009/8/20
登録番号 特許第5246846号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイス
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイス
目的 成膜基板表面にダメージを与えず、高密度化することで絶縁特性を向上させるとともにサブオキサイド層の発生を極力抑制し、酸化膜の絶縁特性をより向上させて酸化膜を薄膜化させることができる高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイスを提供する。
効果 このシリコン酸化膜によれば、高絶縁耐圧、低リーク電流特性を実現することができ、このシリコン酸化膜を用いたシリコン基板は、主には、照射する紫外線の波長を適切な波長とし、基板の加熱温度と吹き付け酸素ガスの加熱・保温温度を同じに制御して製造するため、基板表面が粗くなるのを抑制してサブオキサイド層の生成を抑制し、その層の上の酸化膜の膜密度を高い値にすることができる。
技術概要
1気圧酸素雰囲気中で、300℃から430℃の範囲内の任意の温度にシリコン基板を加熱し、シリコン基板に222nm以下の紫外線を照射した状態で、基板表面に、酸素ガスをフローメーターにおける20℃での酸素ガス流量換算で100ml/min以上流しながらシリコン基板表面に酸化膜を形成する工程からなる高密度シリコン酸化膜の製造方法である。図1はシリコン基板の断面図である。シリコン基板1上には、Si↓xO↓y(但し、x=1、y=2以外)の組成を有する極薄のサブオキサイド層2を介して高密度シリコン酸化膜3が形成される。図2は、高密度シリコン酸化膜を採用したデバイスであるMOSトランジスタの断面図である。シリコン基板上には高密度シリコン酸化膜3を介してゲート電極4が形成され、シリコン基板1の表面領域のゲート電極4の両サイドにはソース・ドレイン領域5が形成される。ゲート絶縁膜に高密度シリコン酸化膜を用いたMOSトランジスタによれば、ゲート絶縁耐圧の高い、リーク電流の低い高品質のトランジスタを製造することができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイスは、成膜基板表面にダメージを与えず、サブオキサイド層の発生を極力抑制し、酸化膜の絶縁特性をより向上させて酸化膜を薄膜化させることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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