マイクロ波プラズマ解析プログラム

開放特許情報番号
L2008002712
開放特許情報登録日
2008/6/6
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2008-015764
出願日 2008/1/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-174028
公開日 2009/8/6
登録番号 特許第4982803号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 マイクロ波プラズマ解析プログラム
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 マイクロ波プラズマ解析プログラム
目的 ダイヤモンド合成に使用されるCVD装置内で発生するマイクロ波プラズマの分布を、所望の精度で数値解析することができるマイクロ波プラズマ解析プログラムの提供を目的とする。
効果 ダイヤモンド合成に使用されるCVD装置内で発生するマイクロ波プラズマの分布を、従来よりも短時間で、且つ精度良く数値解析することができる。これによって、ダイヤモンド合成に適したCVD装置を効率的に設計することが可能となる。
技術概要
マイクロ波プラズマ解析プログラムは、下記手順にて処理を行う。 (1)計算領域の形状情報、誘電率、電気伝導率、メッシュ情報、及び境界条件、反応毎のパラメータ、背景ガスの圧量及び温度、入力電磁波の周波数、投入電力及び電磁波モード、並びに、初期の電子密度分布の入力を受け付ける。 (2)電子密度分布から誘電率分布を求める。 (3)形状情報、メッシュ情報、境界条件、誘電率分布、並びに、電磁波の周波数、投入電力及び電磁波モードの下で、マクスウェル方程式から電界分布を求める。 (4)電界分布から電子温度を求める。 (5)電界分布、電子温度、形状情報、メッシュ情報、フィッティングパラメータ、反応毎のパラメータ、背景ガスの圧力及び温度、並びに、電磁波の周波数の下で、電子輸送方程式を用いた数値計算によって電子密度分布を求める。 (6)電子密度分布の変化が収束するまで、上記(2)以降の処理を繰り返す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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