圧電センサ

開放特許情報番号
L2008002657
開放特許情報登録日
2008/6/6
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2007-332965
出願日 2007/12/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-156641
公開日 2009/7/16
登録番号 特許第4868532号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 圧電センサ
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 圧電センサ
目的 歩留まりが高く、機械的な負荷に対する耐久性が高い圧電センサを提供する。
効果 下部電極と圧電体薄膜との間、および上部電極と前圧電体薄膜との間の少なくとも一方に空隙を有するので、歩留まりが高く、機械的な負荷に対する耐久性が高い圧電センサを実現できる。
技術概要
本発明の圧電センサ10は、基板1上に下部電極2、圧電体薄膜3および上部電極4を設ける構造において、圧電体薄膜3と上部電極4との間に空隙層6をさらに設けた構成である。空隙層6を設けることにより、圧電体薄膜3の製造時に欠損があったり疲労亀裂が発生した場合にも、下部電極2と上部電極4とが短絡しにくくなる。空隙は空隙層を構成し、空隙層の厚さが120μm以下である。好ましくは、空隙層の厚さが60μm以下である。空隙は円形の空隙層を構成し、空隙層は、直径に対する厚さの比率が0.4%以上である。下部電極と圧電体薄膜との間、および上部電極と圧電体薄膜との間の少なくとも一方に絶縁層が設けられ、絶縁層に開口部を形成することにより、空隙層が設けられる。空隙層を複数設ける。下部電極および上部電極および絶縁層は、可撓性を有する材料からなる。下部電極および上部電極は、金属または導電性高分子を主成分とし、厚さ0.5mm以下である。絶縁層は有機高分子フィルムである。有機高分子フィルムがポリイミドを主成分とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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