酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜

開放特許情報番号
L2008002655
開放特許情報登録日
2008/6/6
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2007-332106
出願日 2007/12/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-155376
公開日 2009/7/16
登録番号 特許第5182857号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜
目的 ディスプレイ作製の基礎となる赤色の発色が可能な、酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜を提供する。
効果 赤色の優れた蛍光特性を有する酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜を得ることができる。酸化物エピタキシャル薄膜によるエレクトロルミネッセンスデバイスの開発が期待できる。薄膜によるエレクトロルミネッセンスデバイスは、低電圧駆動が可能なことから、システムの小型化ができる。また酸化物を利用することによって、試料の大気中暴露による結晶性の劣化が極めて少ない利点を有する。
技術概要
酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜は、アルミニウム元素をペロブスカイトに置換した多結晶ターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜が形成する。多結晶ターゲット材料は、(Sr↓1↓−↓xPr↓x)(Ti↓1↓−↓yAl↓y)O↓3:0≦x≦0.1、0≦y≦0.2であり、赤色蛍光を得る。基板は、SrTiO↓3、LaAlO↓3、LaGaO↓3、LaSrGaO↓4のいずれかからなるペロブスカイト関連構造を有する材料、またはMgO、MgAl↓2O↓4のいずれかからなる立方晶系もしくは正方晶系を有する材料である。酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜の作製には、パルスレーザー堆積法を用いる。この薄膜は酸素気流中で成膜できるため、酸化物薄膜成長時には酸素欠損等による電気的特性、蛍光特性の劣化を極めて少なくできる。1Torr以下の低圧酸素中で、酸化物からなるターゲット材料にArF(波長193nm)のエキシマレーザーを照射し、ターゲット材料をプラズマ化させプルームを形成し、そのターゲット材料に対向した面に過熱した基板を配置し、薄膜を堆積させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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