磁気光学材料及びその製造方法

開放特許情報番号
L2008002644
開放特許情報登録日
2008/6/6
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2007-325312
出願日 2007/12/17
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-170986
公開日 2008/7/24
登録番号 特許第5057457号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 磁気光学材料及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光ファイバセンサー、光スイッチなどに使用できる磁気光学材料
目的 チタン酸ジルコン酸鉛のマトリックス中にコバルト超微粒子を、エアロゾルデポジション法(AD法)により均一に分散させる事により、光透過性をはじめとする磁気光学特性に優れた、薄膜の磁気光学材料、及びその効率的な製造方法を提供する。
効果 光透過性をはじめとする磁気光学特性に優れた、磁気光学材料をAD法により効率よく製造することができる。
技術概要
チタン酸ジルコン酸鉛微粉末結晶2と、コバルト超微粒子1とを均一に混合して原料粉末3とさせる。これを、AD法により、キャリアガス中に浮遊させて、常温で基板23の表面に吹き付けて、常温衝撃固化現象を利用して基板表面で接合させて、コバルト超微粒子1をチタン酸ジルコン酸鉛のマトリックス2中に均一に分散させた薄膜4を基板表面に形成させ、光透過性の磁気光学材料を得る。チタン酸ジルコン酸鉛のマトリックス中に、平均粒子径を20〜150nmとさせた0.001〜1重量%のコバルト超微粒子を分散させて薄膜とさせ、基板表面に形成させるのが好ましい。得られる、磁気光学材料の光透過率を20〜80%とさせ、アニーリング処理して、磁気光学材料として使用するのが好ましい。この材料は、光ファイバセンサー、光スイッチ、光絶縁、情報記憶等の分野で幅広く使用する事が出来る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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