誘電体構造体、誘電体構造体の製造方法、圧着転写方法、及び保持構造

開放特許情報番号
L2008002643
開放特許情報登録日
2008/6/6
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2007-325298
出願日 2007/12/17
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-147238
公開日 2009/7/2
登録番号 特許第5152842号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 誘電体構造体の製造方法、圧着転写方法、及び保持構造
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 電子部品、MEMS(微小電気機械システム)
目的 この発明は、基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造を導入して転写させ、低コストで高誘電率を有し、所要の場所に無駄なく形成することの出来る誘電体構造体、及び保持構造を提供する。
効果 この発明の方法によれば、耐熱性基板だけでなく非耐熱性基板やシリコンデバイス上に高誘電率を有する誘電体を形成することが可能になる。また、耐熱性基板を繰り返し使用することが可能であることに加えて、不要な成膜箇所とその除去のプロセスが不要であるオンデマンド製造技術として活用することが可能である。また、今後の受動素子として要求される高い容量密度を有するMEMSデバイスに特に有効である。
技術概要
従来、誘電体膜の製造方法では、耐熱性基板上に配向性薄膜を形成する方法が殆どであり、非耐熱性基板上への転写法によるものでは、基板からの剥離が難しいことが問題とされていた。この発明の方法は、耐熱性基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造をした上で転写形成する方法を採用したものである。具体的には、耐熱性基板としてシリコンを用いた例を示す。最初に、シリコン基板を熱酸化炉中で20時間1,200℃で酸化させ、表面に約1.8μの酸化シリコンの絶縁膜を形成する。次にこの絶縁膜上に白金などの金属膜を500nm位の厚みにスパッタリング法などにより形成し、この上にMOD法により配勾性PZT膜を塗布する。塗布はスピンコーターを用いて行い、その後高速焼成炉で650℃2分処理し約500nmの誘電体PZT膜を形成パターニングする。この膜の上に電極部を形成する。次に転写される側を形成するために、あらかじめ貫通穴の形成されているポリイミド樹脂の非耐熱性基板を準備し、ここに下部電極部を形成する。ここに前記のシリコン基板上にパターニング形成されたPZT膜を圧着し、超音波加振により転写処理を行う。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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