| 出願番号 |
特願2009-544735 |
| 出願日 |
2008/12/5 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2009/072603 |
| 公開日 |
2009/6/11 |
| 登録番号 |
特許第5187913号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
パターン描画方法および装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
パターン描画方法、パターン描画装置、配線パターン、薄膜形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器 |
| 目的 |
電子部品作成などに適用可能な様々な材質、形状の基板材料に対し、実用的な高い描画速度をもち、一回の描画で０．５μｍ以上の厚みのある微細パターンを安定に形成する方法の提供。 |
| 効果 |
５０μｍ開口サイズか、それ以上の開口サイズを持ったノズルを使用しながら、ノズルの開口径あるいはインクの液滴径より小さな微細パターン描画ができる。これにより微細ノズルでの原料インク詰まりの問題が解決され実用性の高い微細パターン描画技術が実現できる。 |
技術概要
 |
この技術では、インクジェット方式により、金属微粒子を含むインク、又は金属アルコキシド溶液を原料溶液として、液滴化し、液滴を基板上に着弾させて基板上に配線パターン、又は機能膜パターンを形成する描画工程を含むパターン形成方法において、描画工程の前に、液滴が基板上に着弾する着弾予定領域を予め加熱する予熱工程を含むものとする。また、このパターン描画方法において、予熱工程は、レーザー、又は赤外線を前記基板の前記着弾予定領域に照射して加熱するものとする。また、基板上の着弾予定領域の温度を測定する基板温度測定工程を含み、予熱工程は、基板温度測定工程で測定した基板温度に基づいて、基板の移動速度、液滴の吐出サイクル、及び着弾予定領域の加熱を制御する予熱制御工程を含むものとすることが好ましい。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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