芳香族高分子膜基材からなる高分子電解質膜、及び、その製造方法

開放特許情報番号
L2008002463
開放特許情報登録日
2008/5/30
最新更新日
2017/3/22

基本情報

出願番号 特願2006-227935
出願日 2006/8/24
出願人 独立行政法人日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2008-053041
公開日 2008/3/6
登録番号 特許第5545609号
特許権者 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
発明の名称 芳香族高分子膜基材からなる高分子電解質膜、及び、その製造方法
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 芳香族高分子膜基材からなる高分子電解質膜
目的 燃料電池への使用に適した、高いプロトン伝導性、高温での高い機械的特性、耐酸化性など長期運転での高い耐久性、及び、低い燃料透過性を有する高分子電解質膜及びその製造方法を提供する。
効果 製造された高分子電解質膜は、フッ素樹脂系高分子電解質膜と比べ、非常に低コストで製造できるにもかかわらず、高温での高い機械的特性や低い燃料透過性を示す。更に、グラフト重合によるグラフト鎖導入により、従来のスルホン化芳香族高分子電解質膜に比べ、高いプロトン伝導性と耐酸化性を両立した特性を有するため、特に、長期使用耐久性が望まれる家庭向けコージェネレーション用や100℃以上の高温使用に耐える自動車用の燃料電池への使用に適している。
技術概要
 
ポリエーテルケトン誘導体、ポリイミド誘導体、ポリスルホン誘導体、ポリエステル誘導体、ポリアミド誘導体、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、又はポリベンゾイミダゾールから成る芳香族高分子膜基材にビニルモノマーをグラフト重合した後、グラフト鎖及び/又は芳香族高分子鎖の一部をスルホン酸基に化学変換する高分子電解質膜の製造方法である。また、スルホン酸基保持可能な芳香環を持つビニルモノマーが、(1)スルホン酸基保持可能な芳香環を持つビニルモノマー、(2)加水分解でスルホン酸基に変換可能なハロゲン化スルホニル基若しくはスルホン酸エステル基を有するビニルモノマー、(3)スルホン化反応でスルホン酸基が導入可能なハロゲンを有するビニルモノマー、又は(4)芳香族高分子鎖への求電子置換スルホン化反応でスルホン化されることのない脂肪族ビニルモノマー、芳香環ビニルモノマー若しくはパーフルオロアルキルビニルモノマーである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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