シリコンベースの高効率太陽電池およびその製造方法

開放特許情報番号
L2008002385
開放特許情報登録日
2008/5/23
最新更新日
2012/7/27

基本情報

出願番号 特願2007-208729
出願日 2007/8/10
出願人 国立大学法人 筑波大学
公開番号 特開2008-066719
公開日 2008/3/21
登録番号 特許第4998923号
特許権者 国立大学法人 筑波大学
発明の名称 シリコンベースの高効率太陽電池およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 BaSi↓2系半導体、混晶半導体薄膜
目的 薄型でエネルギー変換効率が高いシリコンベースの太陽電池の提供。
効果 本技術によれば、電子密度の高いBaSi↓2系n↑+型半導体を形成することができ、薄型でエネルギー変換効率が高いシリコンベースの太陽電池を得ることが可能となる。
技術概要
 
この技術では、少なくとも一方の表面がSiである基板と、基板のSi表面のうちの1つの表面上に配置されている、エピタキシャル成長により形成されたBa原子とSi原子とを含有するn型BaSi↓2層と、n型BaSi↓2層上に配置されている周期表13〜15族に属する少なくとも1種の不純物原子とBa原子とSi原子とを含有するn↑+型BaSi↓2層と、n↑+型BaSi↓2層上に配置されている上部電極と、基板の一方の表面上に配置されている下部電極と、を備える。ここで、下部電極は、図1に示すように、基板のn型BaSi↓2層が配置されている面と反対側の表面上に配置されていてもよいし、基板のn型BaSi↓2層が配置されている表面上に配置されていてもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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