薄膜結晶化方法及び装置

開放特許情報番号
L2008002200
開放特許情報登録日
2008/5/2
最新更新日
2011/4/15

基本情報

出願番号 特願2004-242351
出願日 2004/8/23
出願人 国立大学法人埼玉大学
公開番号 特開2006-060130
公開日 2006/3/2
登録番号 特許第4701376号
特許権者 国立大学法人埼玉大学
発明の名称 薄膜結晶化方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 多結晶シリコン薄膜、薄膜トランジスタ、チャネル層、太陽電池用基板、アモルファス薄膜
目的 レーザを用いる装置は、大掛かりで高価であり、製品の製造コストが高くなると言う問題点があることに鑑み、アモルファス薄膜を簡単な装置により短時間で結晶化することができる薄膜結晶化方法を提供し、また、それを実施する装置を提供することの実現。
効果 レーザアニールに比べて、極めて簡単な構成の装置で、アモルファス薄膜を溶融し、再結晶化することができ、また、大気中において短時間でアモルファス薄膜の溶融・再結晶化が可能である。そのため、多結晶薄膜を低コストで製造することができる。
技術概要
この技術は、非結晶薄膜を溶融した後に再結晶化する薄膜結晶化方法において、細管に導入したプラズマ生成ガスを細管の先端から大気中に噴出させて細管の先端にマイクロプラズマジェットを生成し、このマイクロプラズマジェットを大気中で非結晶薄膜に照射して非結晶薄膜を溶融するようにしている。この方法では、大掛かりな装置が不要である。また、高温のプラズマを用いているため、極めて短時間で非結晶薄膜を溶融することができる。また、薄膜結晶化方法では、細管を絶縁体で形成し、細管の周囲に設けたコイルに高周波電力を供給して細管内部に誘導電場を生成し、細管に導入したプラズマ生成ガスをプラズマ化する。また、薄膜結晶化方法では、細管を金属で形成し、細管に高周波電力を印加して細管の先端から噴出するプラズマ生成ガスをプラズマ化する。マイクロプラズマジェットを非結晶薄膜上で相対的に1次元または2次元的に走査することにより、線形状または面状の結晶化を実現することができる。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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