炭化シリコンの作製方法

開放特許情報番号
L2008002199
開放特許情報登録日
2008/5/2
最新更新日
2010/2/5

基本情報

出願番号 特願2004-146779
出願日 2004/5/17
出願人 国立大学法人埼玉大学
公開番号 特開2005-325434
公開日 2005/11/24
登録番号 特許第4411433号
特許権者 国立大学法人埼玉大学
発明の名称 炭化シリコンの作製方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 炭化シリコン結晶、半導体シリコン、次世代半導体材料、熱化学反応
目的 特別な加熱手段が必要となるなど、炭化シリコン結晶を作製する際に使用する装置が複雑化し、シリコン基材に対する高温制御などの複雑な温度制御が必要となって、炭化シリコンの作製が繁雑化し、困難になるなどの諸問題が生じていることに鑑み、高温加熱を必要とせず、高品質な炭化シリコンを作製することの実現。
効果 特別な加熱手段などを用いることなく、また複雑な高温制御を行うことなく、目的とする炭化シリコンを簡易に形成することができる。さらに、マスクパターンなどを必要とすることなく、極めて簡易にシリコン基材上に炭化シリコンを集積するようにして形成することができる。この結果、炭化シリコンを含む集積化した半導体デバイスを簡易に作製することができる。
技術概要
この技術では、所定の導電性基材を準備する工程と、少なくともメタンを含む大気圧マイクロプラズマジェットを生成し、シリコン基材の主面上に照射して、導電性基材の表層部分に炭化シリコンを生成する工程と、を具える炭化シリコンの作製方法とする。原料ガスをそのまま使用せずに、原料ガスに対して高周波などを印加して得た大気圧マイクロプラズマジェットを原料として用いる。大気圧マイクロプラズマジェットは極めて反応性に富むので、大気圧マイクロプラズマジェットを所定のシリコン基材上に照射することにより、シリコン基材を高温に加熱しない場合においても、シリコン基材の表層部分に大気圧マイクロプラズマジェットとシリコン基材との化学反応を通じて、目的とする炭化シリコンを形成できる。例えば、シリコン基材の加熱温度が400℃以下においても良好な結晶性を有する炭化シリコンを形成することができ、作製時の諸条件を制御することによって、シリコン基材を全く加熱しない場合、すなわち室温状態においても良好な結晶性を有する炭化シリコンを形成することができる。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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