粒子位置の制御方法およびその制御方法を用いた粒子膜の製造方法および粒子膜

開放特許情報番号
L2008002195
開放特許情報登録日
2008/5/2
最新更新日
2008/5/2

基本情報

出願番号 特願2000-352766
出願日 2000/11/20
出願人 埼玉大学長
公開番号 特開2002-153738
公開日 2002/5/28
登録番号 特許第3418731号
特許権者 国立大学法人埼玉大学
発明の名称 粒子位置の制御方法およびその制御方法を用いた粒子膜の製造方法および粒子膜
技術分野 機械・加工、金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 磁場の強度および方向、粒子を二次元に集積させた粒子膜、横毛管力、重力、浮力
目的 鉛直方向に磁場を作用させ、磁場の強度および方向により溶媒における粒子位置を制御する方法を提供し、その制御方法を用いてナノメータ域の粒子を二次元に集積させた粒子膜を製造することが可能な粒子膜の製造方法、およびその方法により製造される粒子膜を提供することの実現。
効果 粒子を集積させる横毛管力を有効に利用して粒子の配列規則性を著しく向上させることが可能となり、マイクロメータ域以下の、ナノメータ域といった粒子径をもつ粒子を二次元に集積させて粒子膜を製造することが可能となる。また、製造された粒子膜は、単電子デバイス、光デバイス、触媒、磁気記録媒体、電極あるいはセンサーのほか、磁気的、電気的および光学的に用いられるものにはいかなるものにも利用が可能である。
技術概要
この技術は、溶液中に分散させた粒子に対して強磁場を加えることにより、特に気液界面における粒子位置を制御することが可能であることを見出すことによりなされたものである。気体と液体の界面においては、液体の表面自由エネルギーにより表面積が最も小さくなるように作用する表面張力と、粒子間に発生する横毛管力とが存在する。この横毛管力は、液面に対する粒子位置、すなわち粒子間の距離に依存する。この技術は、磁気アルキメデス浮上を用いて気液界面における粒子位置を制御することにより、粒子に加えられる横毛管力を制御することが可能であることを見出すことによってなされたものである。すなわち、粒子を分散させた溶媒に磁場を加え、磁場の強度および方向により溶媒における粒子位置を制御する粒子位置の制御方法とする。粒子は、反磁性体粒子または常磁性体粒子または強磁性体粒子である磁場は、磁束密度が0.5〜20Tであるとよい。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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