電荷付与体およびそれを用いたパターン形成体

開放特許情報番号
L2008002143
開放特許情報登録日
2008/4/25
最新更新日
2010/12/3

基本情報

出願番号 特願2003-098617
出願日 2003/4/1
出願人 学校法人早稲田大学
公開番号 特開2004-006779
公開日 2004/1/8
登録番号 特許第4614631号
特許権者 学校法人早稲田大学
発明の名称 パターン形成体の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 ダイオード、トランジスタ、集積回路(IC)
目的 半導体表面に簡易なプロセスで、微細な構造のパターン形成が可能な電荷付与体、および微細なパターン形成体の提供。
効果 本技術によれば外部からの給電等のエネルギーの供給を必要としないため、低コストでパターン形成体を形成することが可能となる。
技術概要
 
この技術では、結晶性半導体表面の結晶構造に歪みを導入した歪み領域を有し、歪み領域から電荷が付与される。結晶性半導体表面の結晶構造に歪みを導入した歪み領域を有することにより、歪み領域において表面ポテンシャルが、p型半導体の場合は負に、n型半導体の場合は正にシフトする。これにより、歪み領域において、他の物質に電荷を付与することが可能な電荷付与体となる。又、結晶性半導体がn型半導体であり、付与される電荷が正の電荷であってもよい。結晶性半導体がn型であることにより、歪み領域では表面ポテンシャルが正にシフトし、正の電荷を付与することが可能となる。これにより、歪み領域に、例として酸化物やセラミックスのような物質を析出させることが可能となる。また、歪み領域が、結晶性半導体表面に加えられた機械的処理により形成されたものであってもよい。歪み領域を機械的処理により半導体表面に形成することにより、歪み領域を目的とするパターンの形状とすることが可能となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 本件は、『早稲田大学技術シーズ集(問合NO.248)』に掲載されている案件です。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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