コヒーレントフォノンによるテラヘルツ電磁波発生方法

開放特許情報番号
L2008001543
開放特許情報登録日
2008/3/28
最新更新日
2008/3/28

基本情報

出願番号 特願2006-231321
出願日 2006/8/28
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2008-052224
公開日 2008/3/6
発明の名称 コヒーレントフォノンによるテラヘルツ電磁波発生方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 コヒーレントフォノンによるテラヘルツ電磁波発生システム
目的 コヒーレントフォノンからテラヘルツ電磁波を発生させる方法、特に高強度でテラヘルツ電磁波を発生させる方法を提供する。
効果 比較的高温でも実施可能であり、共鳴的な増大と共に、表面電場のスクリーニング効果によって、コヒーレントフォノンの増大からテラヘルツ電磁波を効率よく高強度で発生させられる。
技術概要
量子構造におけるコヒーレントフォノンを用いてテラヘルツ電磁波を発生させる方法であって、その量子構造において光パルスを励起子吸収ピークと共鳴させるか、或いは、量子構造に電場を印加し光パルスで量子構造内に電場遮蔽を瞬間的に起こさせることで、高振幅のコヒーレントフォノンを生成し、それによる分極の振動でテラヘルツ電磁波を発生させる、コヒーレントフォノンによるテラヘルツ電磁波発生方法である。また、量子構造が量子井戸構造であり、コヒーレント縦光学(longitudinal optical:LO)フォノンを井戸層に閉じ込めることで、散乱過程を抑制する、コヒーレントフォノンによるテラヘルツ電磁波発生方法である。図1は、(54、16)20MQWにおけるテラヘルツ電磁波強度の印加電場強度依存性を示すグラフである。0.4μJ/cm↑2の励起光密度で、印加電場を30−300kV/cmに変化させる。印加電場が約180kV/cmまでは、電場強度に伴い電磁波強度も上昇し、その増幅率は約30倍に昇ったが、約200kV/cm以上では、飽和に達し電磁波強度はほぼ一定である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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