レーザによるシリコン結晶成長方法及び装置

開放特許情報番号
L2008001509
開放特許情報登録日
2008/3/28
最新更新日
2013/10/29

基本情報

出願番号 特願2007-111227
出願日 2007/4/20
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2008-270510
公開日 2008/11/6
登録番号 特許第5339322号
特許権者 国立大学法人山口大学
発明の名称 レーザによるシリコン結晶成長方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコン半導体(有機半導体より高い電子移動度)を用いたフレキシブルディスプレイ用の薄膜トランジスタ等
目的 石英基板より融点の低い基板に成長させるためには、より発熱量の少ない多結晶 シリコンの結晶成長方法が必要であった。
効果 低温でシリコン結晶の成長ができるので、従来の石英基板だけでなく、プラスチックやポリマ基低温でシリコン結晶の成長ができるので、従来の石英基板だけでなく、プラスチックやポリマ基板に結晶成長させることも期待できる。
技術概要
 
本発明は、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンにレーザ光を照射してシリコン結晶を成長させるシリコン結晶成長方法及び装置において、紫外光レーザ照射及び可視光レーザ照射の欠点を相補的に補い合い、従来より低いレーザエネルギー(低温度)でシリコン結晶を成長させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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