無電解めっき皮膜の形成方法

開放特許情報番号
L2008001431
開放特許情報登録日
2008/3/14
最新更新日
2009/12/4

基本情報

出願番号 特願2004-234623
出願日 2004/8/11
出願人 兵庫県
公開番号 特開2006-052440
公開日 2006/2/23
発明の名称 無電解めっき皮膜の形成方法
技術分野 金属材料
機能 表面処理
適用製品 配線基板、非導電性基板、高融点金属材料
目的 高い触媒活性を不活性基板上に付与し、密着性及び平滑性に優れた無電解めっき皮膜を形成できる無電解めっき用触媒液及び無電解めっき皮膜の形成方法の提供。
効果 本技術によれば、不活性基板上にパラジウムを均一に緻密に多量に析出させたパラジウム活性を施すことができるので、密着性及び平滑性に優れた無電解めっき皮膜を形成できる。
技術概要
本技術の無電解めっき用触媒液は、パラジウム塩と、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、酢酸、プロピオン酸及びこれらの塩から選択される少なくとも1つの有機酸とを含有する水溶液である。即ち、パラジウム塩と、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、酢酸、プロピオン酸及びこれらの塩から選択される少なくとも1つの有機酸が、パラジウムの凝集析出を抑制する作用と、パラジウムの析出量を増大させる作用とをカルボキシル基含有有機酸の中でも特に有しているので、不活性基板上にパラジウムを均一に緻密に多量に析出させパラジウム活性を施すことができるので、密着性及び平滑性に優れた無電解めっき皮膜を形成できる。なお、パラジウム塩の濃度が、0.1mol/m↑3以上100mol/m↑3以下であることが好ましい。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 財団法人新産業創造研究機構

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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