欠陥を検出する方法及びそのための装置

開放特許情報番号
L2008001404
開放特許情報登録日
2008/3/14
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2006-179208
出願日 2006/6/29
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-008740
公開日 2008/1/17
登録番号 特許第4631002号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 欠陥を検出する方法及びそのための装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 半導体製造、シリコンウエハ、空洞欠陥
目的 被検査体表面の異物、析出物等の欠陥と内部の空洞欠陥とを区別して高分解能で検出できる検出方法、検出装置の提供。
効果 被検査体に対して超音波を印加した状態で偏光を与えたレーザーを照射した時に、内部の空洞欠陥では偏光状態が保存されない強い散乱光が生じ、他の欠陥では偏光状態が保存されることを用いて、欠陥が被検査体内部の空洞欠陥であるか、表面の異物、析出物等であるかを区別して高分解能で被検査体の欠陥の検出を行うことができる。
技術概要
この技術では、超音波を印加していない状態と、超音波を印加した状態とにおいて被検査体内に浸透し得る波長のレーザーをポラライザーにより偏光を与えた上で被検査体の面上の位置に照射しその散乱光の強度をクロスニコルに配置されたアナライザーを介して暗視野に設置した検出手段で検出することにより被検査体の欠陥を検出する。この方法において、被検査体に超音波を印加していない状態で被検査体の面上の位置において所定角度をなして斜め方向にレーザーを照射してその散乱光を検出し強度を求める。また、被検査体に超音波を印加した状態で超音波を印加していない状態でレーザーを入射したのと同じ被検査体の面上の位置において同じ所定角度をなして斜め方向にレーザーを照射してその散乱光を検出し強度を求める。そして、被検査体に超音波を印加していない状態で求めた散乱光の強度と被検査体に超音波を印加した状態で求めた散乱光の強度との差を求めて両方の散乱光の強度の差が所定の閾値を超える時に散乱光が被検査体内の空洞欠陥によるものであり、閾値を超えない時に他の種類の欠陥であると判別する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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