多溝性表面を有するシリコン基板及びその製造方法

開放特許情報番号
L2008001390
開放特許情報登録日
2008/3/14
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2007-110451
出願日 2007/4/19
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-300094
公開日 2007/11/15
登録番号 特許第4811736号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 多溝性表面を有するシリコン基板の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 空隙率表層部、シリコン基板、可視光発光素子、可視光受光素子、太陽電池
目的 フッ化水素水溶液に依らないエッチングプロセスの確立。
効果 フッ化水素水溶液を用いることなく、量子細線を規定しうる程度の表面の高い空隙率を実現できる。しかも、かかる高い空隙率は多数の微細溝を略均一に分布させることにより実現したものであり、表面強度の低下を最小限に留めつつ、多孔性表面を代替できる。
技術概要
この技術では、高空隙率表層部を有するシリコン基板の製造方法は、シリコン基板の少なくとも一部に金属被膜を均一に被着する工程を含むと共に、被膜を被着したシリコン基板を少なくとも塩酸と硝酸を含む処理液に浸漬し金属被膜が被着された表面をエッチングする工程を含み、所定時間後に該シリコン基板を該処理液から回収する工程を含み、微細溝が略均一に分布する領域を残して残部を切除する工程を少なくとも含む。金属被膜は、実質的にFe↓(78)Si↓(13)B↓9におけるFe成分の一部又は全部を、Ti,V,Cr,Mn,Co,Ni,Cu,Znの群から選ばれた1種またはそれ以上の元素で置換した組成の金属からなることを特徴とする。所定時間は、金属被膜の厚さが100〜200nmであるときに、2〜600秒であることを特徴とする。微細溝は、幅0.5〜1.0μm、深さ100〜300nm及び長さ1μm以上の溝であることを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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