遺伝子改変装置

開放特許情報番号: L2008001179

開放特許情報登録日: 2008/3/7

最新更新日: 2011/4/22

基本情報

出願番号	特願2006-039876
出願日	2006/2/16
出願人	学校法人光産業創成大学院大学
公開番号	特開2007-215774
公開日	2007/8/30
登録番号	特許第4713362号
特許権者	学校法人光産業創成大学院大学
発明の名称	遺伝子改変装置
技術分野	電気・電子
機能	安全・福祉対策
適用製品	遺伝子改変装置
目的	経済性、安全性、操作性にそれぞれ優れ、また、副作用の心配も殆ど無く、癌細胞等の遺伝子を好適に切断できるといった遺伝子改変装置を提供する。
効果	遺伝子改変装置は、導入口から超短パルスレーザを細孔に導入すれば、該細孔内で加速された癌治療に有効な数ＭｅＶ以上の電子ビームを、射出口から射出することができるので、この電子ビームを被照射体の癌細胞に射出すれば、癌細胞の遺伝子を切断でき、良好な治療効果を期待することができる。
技術概要	超短パルスレーザＰを導入する導入口４１ｘと、真空または希ガスを封入して成り導入口４１ｘから導入した超短パルスレーザＰにより電子を加速させる細孔４１ｚと、細孔４１ｚで加速された電子ビームＱ１を被照射体の遺伝子Ｍａを切断するために遺伝子Ｍａに対して射出する射出口４１ｙとを具備して成る遺伝子改変装置である。両端に開口を有する中空細管と、この中空細管の両端開口を超短パルスレーザを通過可能としながら気密的に閉塞する気密部とを具備し、前記中空細管の一方の開口を導入口に設定し、他方の開口を射出口に設定し、各開口を繋ぐ中空細管内部の貫通孔を細孔に設定する。中空細管および気密部を、ガラスにより一体的に形成する。超短パルスレーザを発生する超短パルスレーザ発生部を具備して成る。超短パルスレーザを導入口へ光学的または形状的に集光する集光部を設ける。集光部は、略コーン形状を有するものである。電子ビームを衝突させることにより、反衝突面側に遺伝子に照射可能なイオンビームを発生する薄膜を具備して成る。射出口と薄膜との間の空間を真空にする。細孔の射出口側を、被照射体の内部に配して使用する。図１は主要部を示す模式図、図２は全体図である。
イメージ図
実施実績	【試作】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

アピール情報

導入メリット

【】

改善効果１

細孔を、例えば、内径が６０μｍで長さが１０ｍｍ程度のものとすれば、人体に対して無用な負荷を与えることなく、射出口を、直接腫瘍付近に接近することができるので、余分な部位への照射がなくなり、従来の放射線治療装置に比べ、数十Ｇｙの線量を一桁以上減少することが可能となる。また、例えば、シンクロトロン炭素線治療装置に比べ、装置の省スペース化及び低価格化を実現できるため、治療現場への導入の促進を図ることができる上、植物の遺伝子を改変するといった治療目的以外の用途への活用も、容易に行うことができる。

改善効果２

経済性、安全性、操作性にそれぞれ優れ、また、副作用の心配も殆ど無く、癌細胞等の遺伝子を好適に切断できるといった遺伝子改変装置を提供することができる。

登録者情報

登録者名称	光産業創成大学院大学