量子カスケードレーザ

開放特許情報番号
L2008001141
開放特許情報登録日
2008/2/29
最新更新日
2015/8/20

基本情報

出願番号 特願2006-181502
出願日 2006/6/30
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2008-010733
公開日 2008/1/17
登録番号 特許第5201544号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 量子カスケードレーザ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 遠赤外領域、テラヘルツ領域、半導体レーザ、量子カスケードレーザ
目的 遠赤外領域もしくはテラヘルツ領域(数十〜数百μm)の周波数領域で発振する半導体レーザの実現。
効果 量子カスケードレーザにおいて、利得層の前後に高速な緩和を伴う活性層を用いることにより、高い光学利得とバックフィリング効果を低減することができるようになり、これによって温度上昇による特性劣化を抑制することができるため、高温で連続発振動作する量子カスケードレーザの作製が可能となる。
技術概要
この技術では、多重量子井戸型半導体レーザの一種であり、サブバンド間の遷移で発振する量子カスケードレーザにおいて、4準位系のレーザ準位を備える活性層が、キャリア注入層、利得領域、およびキャリア引抜き層からなり、キャリア注入層とキャリア引抜き層に、利得領域よりも高速な緩和を伴う層を用いることにより反転分布が容易に実現できるようにすることで、高い光学利得を実現する。また、この量子カスケードレーザにおいて、キャリア注入層あるいはキャリア引抜き層における高速な緩和を主に光学フォノン散乱で引き起こすように構成することで、高速な緩和を実現する。また、この量子カスケードレーザの活性層において、キャリア注入層あるいはキャリア引抜き層に、高速な緩和を主に誘導放出によるサブバンド間遷移で引き起こす層を用いることで、高速な緩和を実現する。また、キャリア注入層あるいはキャリア引抜き層において、キャリア注入層あるいはキャリア引抜き層で緩和されるエネルギー差を、散乱を引き起こす光学フォノンのエネルギーレベルと同等もしくはそれ以上とすることで、光学フォノンによる高速な緩和を実現する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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