単結晶粒子が配向された構造体の製造方法における配向角度の制御方法

開放特許情報番号
L2008001050
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2006-276451
出願日 2006/10/10
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-055261
公開日 2007/3/8
登録番号 特許第4635189号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 単結晶粒子が配向された構造体の製造方法における配向角度の制御方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 単結晶粒子が配向された構造体
目的 セラミックス構造体を製造する場合にその単結晶の配向方位を所望の方向に設定できるようにする方法を提供する。
効果 磁場の方向を変更することなく、電極基板の角度調整によって、電極基板に対する配向角度の調整が可能になった。
技術概要
帯電させたセラミックス単結晶粒子のサスペンションに磁場を印加することにより単結晶粒子を配向させ、電極基板もしくはその上のセラミックス単結晶粒子層上に堆積させるセラミック構造体の製造方法における配向角度の制御方法である。磁場を印加した状態でサスペンションに電場を印加し、帯電したセラミックス単結晶粒子を電気泳動させるにあたり、電極基板と電場の方向とを一定にして、磁場に対する電極基板の傾斜角度を所望の角度に設定する。図1はこの出願の発明の装置の概要であり、強磁場(10T)中における電気泳動法(EPD)の態様を示している。図1における(B)は磁場の方向を、また5は超伝導マグネットを、そして6は銅線を示している。一般に、磁場の引加方向(B)と電場の方向(↓)の関係においては、帯電させたセラミックス単結晶粒子の電気泳動方向を磁場方向と平行に設定することは電荷粒子が磁場を横切ることによるローレンツ力の発生、およびローレンツ力によるスラリー中における渦の発生(攪拌)を防ぐために好ましいが、必ずしも電気泳動方向と磁場方向と平行に設定する必要がなく、たとえば、図2、図3に模式的に示されるように多様な態様が考慮される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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