高純度立方晶窒化ホウ素焼結体の製造法

開放特許情報番号
L2008001042
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2005-257739
出願日 2005/9/6
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-070148
公開日 2007/3/22
登録番号 特許第4811853号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 高純度立方晶窒化ホウ素焼結体の製造法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 高純度立方晶窒化ホウ素焼結体
目的 耐熱性に優れた平均粒子径数μmの高純度cBN焼結体を5GPa領域で製造することが可能な技術を提供する。
効果 この高純度cBN焼結体とその製造法で得られる高純度焼結体は従来と全く異なるcBN粉末表面の清浄化処理プロセスを導入することにより、高硬度、高純度cBN焼結体を実現した物で、cBN粒子間に直接結合が形成されていると考えられる微細組織を示している。機械加工工具として、優れた切削性能が期待できる。
技術概要
立方晶窒化ホウ素粉末表面を超臨界流体で清浄化し、焼結助剤を添加しないで立方晶窒化ホウ素を立方晶窒化ホウ素の熱力学安定条件下の5GPa、1400℃以上の高圧高温条件下で焼結するヴィカース硬さ40GPa以上の高純度立方晶窒化ホウ素焼結体の製造法である。超臨界流体が酸素を含有しない流体からなり、流体源として、固体のポリ塩化ビニリデン等を使用する超臨界流体によって清浄化する立方晶窒化ホウ素粉末表面の清浄化を必須条件とする立方晶窒化ホウ素焼結体の製造法である。出発立方晶窒化ホウ素粉末の粒径幅は0.5〜2μmであるのが好ましい。立方晶窒化ホウ素の微粉末を流体源と積層し、金属カプセルに封入し、高温高圧下で焼結する。ポリ塩化ビニリデンは食品包装用ラップフィルムを使用するのが好ましい。図1は、高純度cBN焼結体破面の二次電子像を示す図面代用写真、図2は、cBN粉末を焼結するための焼結体合成用カプセルの一例を示す断面図である。Taカプセル1の内部にcBN粉末2、Ta箔3、ポリ塩化ビニリデン4を交互に重ね、上下に黒鉛円盤5を配置している。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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