ダイヤモンド紫外線センサー素子

開放特許情報番号
L2008001010
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/10/12

基本情報

出願番号 特願2005-329253
出願日 2005/11/14
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-139424
公開日 2007/6/7
登録番号 特許第4677634号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ダイヤモンド紫外線センサー素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ダイヤモンド紫外線センサー素子
目的 単結晶又は多結晶ダイヤモンド薄膜を成長させる必要が無く、工業化されている窒素を含有するダイヤモンド単結晶基板のみを使い、ダイヤモンド単結晶基板表面に水素化処理を施すことによって、波長260nm以下の紫外線に対する受光感度を限界値の少なくとも1000倍程度高めたダイヤモンド紫外線センサー素子を提供する。
効果 工業化されている高温高圧合成法によって作製された窒素を含むダイヤモンド半導体基板のみを使うことによってダイヤモンド紫外線センサーを製造することができるため、飛躍的なコストの低下につながる。
技術概要
受光部材料の光誘起電流の変化によって、受光部に照射される光を検出する2端子電極を持つ光伝導型センサー素子であって、主たるキャリアが正孔である表面伝導層を持つ高温高圧合成法によって作製された窒素原子を含むダイヤモンド単結晶を受光部に持つダイヤモンド紫外線センサー素子、である。また、受光部材料の光誘起電流の変化によって、受光部に照射される光を検出する2端子電極を持つ光伝導型センサー素子であって、結合水素原子および結合酸素原子によって覆われた表面を持つ高温高圧合成法によって作製された窒素原子を含むダイヤモンド単結晶を受光部に持つダイヤモンド紫外線センサー素子、である。図1はダイヤモンド紫外線センサーの断面図である。図2はダイヤモンド紫外線センサーの電極パターンを示す平面図である。図3はダイヤモンド紫外線センサーの(a)暗電流I−V特性、及び(b)波長220nmの紫外線を照射中に測定されたI−V特性を示すグラフである。図4はダイヤモンド紫外線センサーの受光感度の波長依存性を示すグラフである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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