六方晶系単結晶ナノチューブ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2008001007
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/10/12

基本情報

出願番号 特願2005-342993
出願日 2005/11/29
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-145651
公開日 2007/6/14
登録番号 特許第4997622号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 六方晶系単結晶ナノチューブ及びその製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 六方晶系単結晶ナノチューブ
目的 六方晶系の単結晶からなる、六方晶系単結晶ナノチューブ及びその製造方法を提供する。
効果 六方晶系の単結晶のナノチューブ及びその製造方法を提供することができる。また、この製造方法により、チューブ内部にスズを充填させることができるので、単一材料としての効果だけでなく、複合材料としての効果も有する。
技術概要
 
六方晶系単結晶ナノチューブの製造方法は、カドミウムを含むII−VI族化合物半導体からなる粉末、一酸化スズ粉末、二酸化スズ粉末及び活性炭粉末の混合物を、不活性ガス気流中で所定の加熱温度で所定時間加熱し、カドミウムを含むII−VI族化合物半導体による六方晶系単結晶構造のナノチューブを合成する。この製造方法において、好ましくは、カドミウムを含むII−VI族化合物半導体からなる粉末は硫化カドミウム粉末であり、加熱温度は1100〜1200℃の範囲である。また、好ましくは、カドミウムを含むII−VI族化合物半導体からなる粉末がセレン化カドミウム粉末であり、加熱温度が1000〜1100℃の範囲である。この加熱時間は、好ましくは3〜5時間の範囲である。混合物におけるカドミウムを含むII−VI族化合物半導体からなる粉末、一酸化スズ粉末、二酸化スズ粉末及び活性炭粉末の重量比は、好ましくは、0.4〜0.8:0.3〜0.8:0.1〜0.5:0.3〜0.8の範囲である。不活性ガスは、窒素ガスであってよい。不活性ガスの流量は、好ましくは300〜600cm↑3/分の範囲とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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