バックスイッチ現象を抑制した光学素子を製造する方法、および、それによって得られた波長変換素子

開放特許情報番号
L2008001001
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/10/12

基本情報

出願番号 特願2005-361271
出願日 2005/12/15
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-163908
公開日 2007/6/28
登録番号 特許第4613347号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 バックスイッチ現象を抑制した光学素子を製造する方法、および、それによって得られた波長変換素子
技術分野 その他
機能 材料・素材の製造
適用製品 バックスイッチ現象を抑制した光学素子、および波長変換素子
目的 定比組成のタンタル酸リチウム単結晶において、分極反転領域形成後、変調器または波長変換素子への加工プロセス中に形成された分極反転領域のバックスイッチ現象を抑制した光学素子を製造する方法を提供する。
効果 先細りの分極反転部分が切断されるので、形成された分極反転領域全体のエネルギーが均一となり、バックスイッチ現象の発生が低減され得るか、または、発生が抑制され得る。この結果、光学素子の信頼性および歩留まりが向上し得る。
技術概要
図1は、光学素子を製造する工程を示す図である。図2は、バックスイッチ現象の発生を抑制するメカニズムを示す図である。SLT単結晶200は、図1の工程S110後の一部分を示す。SLT単結晶200は、分極反転領域210と非分極反転領域220とを含む。分極反転領域210は、SLT単結晶200の長手方向に沿った両端部に先細りの分極反転部分230を有する。先細りの分極反転部分230の先細りの角度αは、分極反転周期に依存する。詳細には、分極反転周期が大きい場合には、先細りの角度αが大きくなり、一方、分極反転周期が小さい場合には、先細りの角度αが小さくなる。いずれの周期であっても、SLT単結晶200の分極反転領域210は、先細りの分極反転部分230を有する。切断後のSLT単結晶250は、図1の工程120後の一部分を示す。切断後のSLT単結晶250に示されるように、切断後の分極反転領域260は、エネルギー的に不安定になる部分を有しないので、加工プロセスによってバックスイッチ現象は起こらない。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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