| 出願番号 |
特願2005-361271 |
| 出願日 |
2005/12/15 |
| 出願人 |
独立行政法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2007-163908 |
| 公開日 |
2007/6/28 |
| 登録番号 |
特許第4613347号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
バックスイッチ現象を抑制した光学素子を製造する方法、および、それによって得られた波長変換素子 |
| 技術分野 |
その他 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
バックスイッチ現象を抑制した光学素子、および波長変換素子 |
| 目的 |
定比組成のタンタル酸リチウム単結晶において、分極反転領域形成後、変調器または波長変換素子への加工プロセス中に形成された分極反転領域のバックスイッチ現象を抑制した光学素子を製造する方法を提供する。 |
| 効果 |
先細りの分極反転部分が切断されるので、形成された分極反転領域全体のエネルギーが均一となり、バックスイッチ現象の発生が低減され得るか、または、発生が抑制され得る。この結果、光学素子の信頼性および歩留まりが向上し得る。 |
技術概要
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図１は、光学素子を製造する工程を示す図である。図２は、バックスイッチ現象の発生を抑制するメカニズムを示す図である。ＳＬＴ単結晶２００は、図１の工程Ｓ１１０後の一部分を示す。ＳＬＴ単結晶２００は、分極反転領域２１０と非分極反転領域２２０とを含む。分極反転領域２１０は、ＳＬＴ単結晶２００の長手方向に沿った両端部に先細りの分極反転部分２３０を有する。先細りの分極反転部分２３０の先細りの角度αは、分極反転周期に依存する。詳細には、分極反転周期が大きい場合には、先細りの角度αが大きくなり、一方、分極反転周期が小さい場合には、先細りの角度αが小さくなる。いずれの周期であっても、ＳＬＴ単結晶２００の分極反転領域２１０は、先細りの分極反転部分２３０を有する。切断後のＳＬＴ単結晶２５０は、図１の工程１２０後の一部分を示す。切断後のＳＬＴ単結晶２５０に示されるように、切断後の分極反転領域２６０は、エネルギー的に不安定になる部分を有しないので、加工プロセスによってバックスイッチ現象は起こらない。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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