半導体結晶成長用炭化物単結晶基板

開放特許情報番号
L2008000999
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2008/2/22

基本情報

出願番号 特願2005-364938
出願日 2005/12/19
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-169083
公開日 2007/7/5
発明の名称 半導体結晶成長用炭化物単結晶基板
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体結晶成長用炭化物単結晶基板
目的 格子定数の整合性が高く、なおかつ逆位相境界の発生しない成長用基板を提供する。
効果 この窒化物半導体結晶成長用基板は、遷移金属炭化物単結晶の(111)面を主面に利用することによりGaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000−1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶が育成できる。さらに、固溶体単結晶X↓(↓1↓−↓x↓)Y↓xCでは、X、Yの原子と組成比xを選ぶことにより格子定数の調節が可能となり、作成しようとする窒化物半導体結晶の格子定数に合致した単結晶基板を提供することができる。
技術概要
XC(Xは、Ti、Zr、Nb、Hf、Taのうち、1種類である。)又はX↓(↓1↓−↓x↓)Y↓xC(但し、Xは、V、Zr、Nb、Hf、Taのうち、1種類であり、Yは、Ti、V、Zr、Nb、Hf、Taのうち1種類であり、XとYは異なる元素である。0<x<0.3)で表される岩塩型結晶構造をもつ遷移金属炭化物単結晶を窒化物半導体結晶成長用基板とする。この場合、固溶範囲を示すxはX、Yの元素の種類に依存するが、一般にあまり大きいと不安定となり相分離を生じ易いのでおおむね0.3以下が望ましい。ここで対象としている4族、5族遷移金属炭化物(TiC、ZrC、HfC、NbC、TaC)は、ともに同じ岩塩型の結晶構造をとり、格子定数が0.4328nmから0.4698nmの範囲にあり8%以内の差異しかないので、固溶体を作るのに有利である。図1は(a)遷移金属二ホウ化物(0001)表面と(b)遷移金属炭化物の(111)表面を上から見た模式図である。図2は基板材料の製造に用いられる単結晶育成装置を示す説明図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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