TiO2スパッタコーティング膜の作製方法

開放特許情報番号
L2008000980
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2008/2/22

基本情報

出願番号 特願2006-047603
出願日 2006/2/24
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-224370
公開日 2007/9/6
発明の名称 TiO2スパッタコーティング膜の作製方法
技術分野 無機材料
機能 その他
適用製品 酸化チタンコーティング膜、光触媒膜
目的 加熱せずに基板表面に結晶性のTiO↓2膜をコーティングする方法、特にルチル相より高い光触媒活性を有するアナターゼ相を含むTiO↓2膜を形成させる方法を提供する。
効果 高周波マグネトロンスパッタリングを用い、雰囲気を形成するO↓2とArの混合ガス中のO↓2の濃度および混合ガスの全圧を制御することにより、基板を加熱しなくとも基板上にアナターゼ相を含む結晶性のTiO↓2膜を形成させることができる。O↓2の濃度を20%、全圧を2〜2.5Paとすることにより、また、スパッタリング時間を120分間とすることにより、直径が400〜450オングストロームで、円柱状の形態の粒子から形成されるアナターゼ単相の結晶性TiO↓2膜を形成させることができ、高い光触媒活性を得ることができる。
技術概要
この方法は、TiO↓2をターゲットとし、O↓2とArの混合ガス雰囲気中で高周波マグネトロンスパッタリングを行い、非加熱基板にTiO↓2膜をコーティングするTiO↓2スパッタコーティング膜の作製方法で、混合ガス中のO↓2の濃度および混合ガスの全圧を制御し、アナターゼ相を含む結晶性のTiO↓2膜を形成させるTiO↓2スパッタコーティング膜の作製方法である。O↓2の濃度を20%とし、全圧を2〜2.5Paとしてアナターゼ単相の結晶性TiO↓2膜を形成させる。図1はO↓2/Ar混合ガスのO↓2濃度および全圧(Pt)を変化させて形成したTiO↓2膜のX線回折パターンである。また、スパッタリング時間を120分間とし、直径が400〜450オングストロームで、円柱状の形態の粒子から形成されるアナターゼ単相の結晶性TiO↓2膜を形成させるTiO↓2スパッタコーティング膜の作製方法である。図2は、O↓2濃度が20%、Pt=2.0Pa、スパッタリング時間を30分、60分、90分、120分と変えた時に形成されるアナターゼ単相のTiO↓2膜のX線回折パターンである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 ポリマーやプラスチックなどの表面にもコーティングすることができ、TiO↓2の適用範囲が拡大される。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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