微細加工方法

開放特許情報番号
L2008000972
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2008/2/22

基本情報

出願番号 特願2007-062844
出願日 2007/3/13
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-250542
公開日 2007/9/27
発明の名称 微細加工方法
技術分野 電気・電子
機能 表面処理、その他
適用製品 半導体集積回路基板、微細パターン形成装置、電子線照射装置
目的 マスク等の多段階のプロセスを使用することなく基材の表面に1ナノメートルの微細な穴あけや幅2ナノメートルの溝掘り、また、これらを組み合わせた加工を行なうことができる加工方法とそのための装置を提供する。
効果 基板に1〜10nmの形状の微小加工が可能になる。
技術概要
この微細加工方法は、基板に対しても電子線の照射方向の磁場をかけておくことにより、基板に1〜10nmの形状の微小加工が可能にする方法である。密閉された反応容器に磁場を印加し、その中の基材の表面にハロゲンまたはハロゲン化合物の気体を供給しながら、200keV以上に加速された電子線を照射する。加速電圧を高くし、さらに基板を磁場中におく手法により電子線を細く絞ることが可能になり、基材の表面にナノメートルオーダーの微細で精密な加工を行なうことが可能となる。磁場の強度、方向および電子線の照射時間を変化させ、加工の部位や加工のサイズが多様なナノメートルオーダーの微細な加工を精密に行なうことが可能になる。図はハロゲン化合物の気体を供給しながら磁力線3により細く絞られた電子線を照射している状態を示した模式図である。内部に基材4が収められた密閉性の反応容器5を0.5〜2テスラ(T)程度の磁場中に設けて真空ポンプ等で吸引6しながら、ハロゲン化合物供給ノズル1からハロゲン化合物の気体を少量ずつ供給する。そして、基材4の表面に200keV以上の高い加速電圧の電子線2を照射する。この電子線2は磁場の磁力線3によって細く絞られている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 使用可能な基材としてはハロゲンまたはハロゲン化合物と反応する材料であれば特に限定されないが、特に金属、半導体、炭素などが好適な材料として使用することができる。
改善効果2 使用できるハロゲン化合物としては、Cl↓2、XeF↓2、AlCl↓3、SiCl↓4、AuCl↓3、NaAuCl↓4などが好適である。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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