ダイヤモンド微小電極およびその製造方法

開放特許情報番号
L2008000935
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2007-300373
出願日 2007/11/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-128041
公開日 2009/6/11
登録番号 特許第4911410号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ダイヤモンド微小電極およびその製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、化学的、電気化学的、生物学的・医学的な計測、化学合成等の分野で広く利用される。
目的 すべてダイヤモンドで、かつ、3次元的な構造を有する微小電極アレーの製造方法を提供する。
効果 化学的安定性、物理的安定性、生体適合性、表面易化学修飾性を有するだけでなく、従来の微小電極アレーの特徴である、応答速度が速く、電流値の正確な測定が可能であり、高S/N比を有する。
技術概要
導電性ダイヤモンドP1上にハードマスク材P2を成膜し、その上にフォトレジストP3を塗布し、フォトリソグラフィーによるフォトレジストのパターニングを行い、フォトレジストをマスクとしたハードマスク材をエッチングし、ハードマスク材をマスクとしたダイヤモンドをエッチングし、絶縁性ダイヤモンドを成膜し、ハードマスク材を除去することにより、ダイヤモンド微小電極を製造する。尚、ダイヤモンド電極アレー表面において、各電極における電極部分及び絶縁部分がすべてダイヤモンドであり、電極部分が絶縁表面より突出した3次元構造である、ダイヤモンド微小電極である。また、1個の電極の幅が0.5〜500μmの範囲である。更に、電極材料に用いる導電性ダイヤモンドが、単結晶ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンドのいずれかであり、ダイヤモンドにホウ素、リン、窒素等の不純物がドープされたダイヤモンドである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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