表面微細構造製造方法およびダイヤモンドナノ電極製造方法とその電極体

開放特許情報番号
L2008000934
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2007-300368
出願日 2007/11/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-129962
公開日 2009/6/11
登録番号 特許第5062748号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 表面微細構造製造方法およびダイヤモンドナノ電極製造方法とその電極体
技術分野 電気・電子、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 簡便な操作で得られ、電極、電子放出源、MEMS、バイオデバイス、光学素子、切削工具、研磨工具、金型、プローブ、ヒートシンク、触媒担体等のダイヤモンドデバイスとして利用される。
目的 ナノダイヤモンド微粒子を微小ハードマスクとして使用することによる、ナノメートルオーダーの表面微細構造製造方法及びこれを用いたダイヤモンドナノ電極製造方法及びダイヤモンドナノ電極体を提供する。
効果 ドライエッチングを行いナノメートルオーダーの表面微細構造を製造でき、また、得られた電極は、化学的に安定で速い応答速度や高いS/N比を有する。
技術概要
シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料P1の試料表面にナノダイヤモンド微粒子P2を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸を製造して、表面微細構造P3を得る。尚、種付けするナノダイヤモンド微粒子が直径1nm〜1000nmのナノダイヤモンド微粒子であり、また、試料をナノダイヤモンド微粒子のアルコール分散液若しくは水分散液に浸漬させ10〜120分の超音波処理を行うことにより種付けする。また、種付けされるダイヤモンド試料が、単結晶ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンド、及び上記ダイヤモンドにホウ素、リン、窒素の不純物がドープされた各種ダイヤモンドである。更に、表面に種付けされたナノダイヤモンド微粒子を、常温硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂を用いて固定化した後、ドライエッチングを行う。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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