基板への種付け処理方法、ダイヤモンド微細構造体及びその製造方法

開放特許情報番号
L2008000930
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2007-299293
出願日 2007/11/19
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-120929
公開日 2009/6/4
登録番号 特許第5334085号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 基板への種付け処理方法、ダイヤモンド微細構造体及びその製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、パワー半導体デバイス、電子放出源、電極、MEMS、バイオデバイス、切削工具、研磨工具、プローブ、ヒートシンク、触媒担体等の分野で広く利用される。
目的 ダイヤモンドのエッチング工程を用いずに、ダイヤモンド成膜によって製造されるダイヤモンド微細構造体の製造方法を提供する。
効果 従来、ダイヤモンド微細構造体製造に不可欠であったダイヤモンドのエッチングプロセスを用いることなく簡便にダイヤモンド微細構造体を製造することが可能となる。
技術概要
ダイヤモンド微粒子の基板P1への種付け処理方法であって、ナノダイヤモンド微粒子P8を用いることにより、基板表面を酸素終端処理した基板表面のみ種付けが行われ、基板表面を水素終端処理した基板表面には、種付けが行われないことを特徴とする基板の特定箇所のみ種付けを行う基板への種付け処理方法である。尚、種付けされる基板がダイヤモンド若しくはシリコンであり、ナノダイヤモンド微粒子のアルコール分散液若しくは水分散液に基板を入れ、10〜120分の超音波処理を行う。また、基板への種付け処理方法により得られたダイヤモンド種付け基板を600〜1000℃に保持し、プラズマ状態の、炭素源ガスと水素ガスを導入し、ダイヤモンド結晶成長を行うことにより、ダイヤモンド微細構造体を製造する。更に、炭素源ガスと水素ガスのほかにさらに酸素源ガス、アルゴンガス、窒素ガス、ホウ素源ガス、リン源ガスから選ばれるガスを導入する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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