化学的に修飾されたカーボンナノチューブ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2008000880
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-273119
出願日 2007/10/19
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-102179
公開日 2009/5/14
登録番号 特許第5152716号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 化学的に修飾されたカーボンナノチューブ及びその製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 多層カーボンナノチューブを含む溶液組成物、多層カーボンナノチューブ(MWCNT)を溶融混練している樹脂中に含む組成物、多層カーボンナノチューと樹脂とからなるナノコンポジット
目的 新規な表面改質をおこなった多層カーボンナノチューブ(以下、MWCNTとも言う)、新規な表面改質をおこなった多層カーボンナノチューブ(MWCNT)の製造方法、新規な表面改質をおこなった多層カーボンナノチューブ(MWCNT)の組成物、新規な表面改質をおこなった多層カーボンナノチューブ(MWCNT)と樹脂との溶融混練組成物、新規な表面改質をおこなった多層カーボンナノチューブ(MWCNT)が樹脂中に高度に均一分散しているナノコンポジット及びその製造方法の提供。
効果 POSSにより表面改質をおこなった新規なMWCNTを得ることができ、その製造方法を確立することができた。POSSにより表面改質をおこなった新規なMWCNTは、POSS特有の立体障害を利用するMWCNTの表面改質が可能となる。従来のグラフト化して得られるCNTでは、グラフト化したポリマー鎖がCNTの表面を覆ってしまう問題点を有しているが、本発明のPOSSにより表面改質をおこなったMWCNTは、POSSが表面を覆ってしまうことはない。
技術概要
本技術で用いるシルセスキオキサン(POSS)は構造式(2)の籠状の構造をしており、POSSのSiの置換基Rにおいて1箇所のRはアミノプロピル基を有するものであり、他の7箇所のRはイソオクチル基である(一般的には、1箇所のRが炭素数3以上のアミノアルキル基であり、他の7箇所のRはこの炭素数より多いアルキル基であれば差し支えないことを意味する。又、その際に炭素数は4以上であれば問題ない。前記1箇所のRの炭素数は3から12の範囲である。Rは、以下のように定義される。Rは官能基を表し、8個のRの内1個はアミノアルキル基から成り、アルキル基における炭素数は3から12である。他の7個のRはアルキル基から成る。)場合は、活性基である−C・O・Cl基を有するMWCNTと活性基の部分の1点で結合する(構造式(1))。その結果、グラフト化したポリマー鎖がCNTの表面を覆ってしまうということはなくなり、本技術の解決すべき課題を解決することができると考えられる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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