炭化珪素の研磨剤、及びそれを用いた炭化珪素の研磨方法

開放特許情報番号
L2008000865
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-266163
出願日 2007/10/12
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-090441
公開日 2009/4/30
登録番号 特許第5182852号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 炭化珪素の研磨剤、及びそれを用いた炭化珪素の研磨方法
技術分野 機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 炭化珪素部材の研磨剤に適用する。
目的 基材と特定の炭素層との積層体からなる炭化珪素部材の研磨剤を提供する。
効果 環境負荷の高い化学薬品を用いることなく、硬度の高い炭化珪素単結晶表面を高速、かつ、簡便に、高い平坦性および精度で研磨、研削ができる研磨剤が可能になる。
技術概要
例えば、(A)シリコン、ガラス等の基材を用意する、(B)ダイヤモンド微粒子を粉砕して基材上にこのダイヤモンド微粒子を設ける、(C)マイクロ波プラズマCVD反応炉の内部に、炭素粒子の成長を阻害する不純物の生成を抑制し、炭素粒子の成長を抑制する生成・成長抑制材としてSiO↓2材またはAl↓2O↓3材の供給源(例えば石英製プラズマ導入管)、及び、工程Bで得られた基材を設置した後、メタン、エタノール等の反応ガスとアルゴンガス等との混合ガスを導入し、反応炉内に表面波プラズマを発生させて、基材上にSiO↓2材またはAl↓2O↓3材と炭素粒子からなる膜をこのSiO↓2材またはAl↓2O↓3材の量が基材側の下部層から上部層に向かって減少させて堆積する、(D)堆積した膜の表面に水素プラズマを暴露して炭素膜の表面粗さを4nm〜6nmに調整する、工程を順に経て形成され炭化珪素部材の研磨材にする(図)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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