有機半導体装置の作製方法及び有機半導体装置

開放特許情報番号
L2008000864
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-266083
出願日 2007/10/12
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-094420
公開日 2009/4/30
登録番号 特許第5170627号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 有機半導体装置の作製方法及び有機半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 エレクトロニクス分野における小型・大型画面表示(ディスプレー)装置のためのスイッチングデバイス等に有用な有機半導体装置の作製に適用する。
目的 有機半導体粉末を押し固めて有機半導体層を形成する有機半導体装置の作製方法を提供する。
効果 真空や溶媒を介することなく安価に有機半導体層及び有機半導体装置を作製することが可能になる。
技術概要
例えば、(a)ポリエチレンナフタレート等のプラスチック、ガラス等の基板10表面に、金等からなる金属電極を被着するかもしくはそれら金属あるいはTTF−TCNQ等の有機導電体の粉末を散布しこれを押し固めて、ソース及びドレイン電極のパターン20を形成する、(b)ゲート絶縁層となるフィルム40上にペンタセン、ルブレンといった有機半導体の粉末を静電吸着等により吸着させて有機半導体粉末層30’を形成する、(c)基板10表面上にフィルム40を、有機半導体粉末が吸着した面を下側にして重ね合わせる、(d)フィルム40の表面より加圧して有機半導体粉末層30’を押し固めることにより有機半導体層を形成する、(e)ゲート絶縁層となるフィルム40上にゲート電極50を形成する、ことにより有機半導体トラジスを得る有機半導体装置の作製方法にする(図)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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