二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2008000862
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2009/6/5

基本情報

出願番号 特願2007-264624
出願日 2007/10/10
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-094352
公開日 2009/4/30
発明の名称 二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 二重絶縁ゲート電界効果トランジスタに適用する。
目的 ゲート−ドレイン間絶縁層とゲート酸化膜を特定の厚さに形成する二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを提供する。
効果 オフ状態とするときのドレイン漏れ電流の増加を軽減し、かつ、ソース、ドレイン寄生抵抗の増加によるオン電流低下が抑制できる二重絶縁ゲート電界効果トランジスタが可能になる。
技術概要
 
第一導電形の高濃度不純物がそれぞれ導入されたソース領域及びドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域の間に両領域に接して介在するチャネル領域と、チャネル領域の両領域に連なる第一の表面に第一のゲート絶縁膜を介して接する第一のゲート電極及びチャネル領域の両領域に連なる第二の表面に第二のゲート絶縁膜を介して接する第二のゲート電極を有し、第一のゲート電極と第二のゲート電極はチャネル領域を挟んで対向して設けられ、チャネル領域の厚さがソース領域及びドレイン領域のそれぞれの厚さよりも薄い構造を有し、第一のゲート絶縁膜に接し第一のゲート電極とドレイン領域間に介在する第一のゲート−ドレイン間絶縁層の厚さ及び第二のゲート絶縁膜に接し第二のゲート電極とドレイン領域間に介在する第二のゲート−ドレイン間絶縁層の厚さを、第一のゲート酸化膜の厚さ及び第二のゲート酸化膜の厚さよりも、好ましくは、1.5倍以上厚くした二重絶縁ゲート電界効果トランジスタにする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT