バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2008000854
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-259862
出願日 2007/10/3
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-084531
公開日 2009/4/23
登録番号 特許第5182851号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 簡便な操作で得られ、白色LED、自在に曲がるディスプレイや照明器具などフレキシブルな発光材料等として広く利用される。
目的 結晶性に優れた酸化バナジウム蛍光体の薄膜を、室温〜400℃の低温で製膜することができ、また従来困難であった有機基板上にもバインダーレスで直接製膜しうる方法を提供する。
効果 バナジウム酸化物蛍光体薄膜は白色LEDの励起光源である紫外・近紫外LEDによって励起でき、かつ、長波長側に強い発光を持つ蛍光体との組み合わせによって暖色系の白色を得ることもできる。また水銀や鉛などを含まないため、環境・人体への悪影響も少ない。
技術概要
基板上に形成された、A(AはK、Rb及びCsから選ばれる1種又は2種以上の原子である)とVを実質的に1:1の原子比で含む薄膜を、25℃〜450℃の温度に保持した後、波長400nm以下の紫外線レーザを照射し、バナジウム酸化物を結晶化させることにより、組成式AVO↓3で示されるバナジウム酸化物蛍光体薄膜を製造する。尚、10〜20mJ/cm↑2の範囲で紫外線レーザを照射する。また、薄膜に紫外ランプを照射した後、紫外線レーザを照射して結晶化させる。更に、この製造方法によって得られる、基板上に作製されたバナジウム酸化物蛍光体薄膜からなる発光材料を製造する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT