高出力ダイヤモンド半導体素子

開放特許情報番号
L2008000845
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-251370
出願日 2007/9/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-081393
公開日 2009/4/16
登録番号 特許第5051835号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高出力ダイヤモンド半導体素子
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、ダイヤモンドショットキーバリアダイオード、ダイヤモンドトランジスタ、ダイヤモンド電界効果トランジスタ等の分野で広く利用される。
目的 ダイヤモンドに対する表面不活化を行い、低リーク電流で高い電圧まで動作する高出力ダイヤモンド半導体素子を提供する。
効果 逆方向リーク電流を減らすことが出来るため、高出力ダイヤモンド素子の高電界印加時におけるリーク電流が減少し、また動作可能電圧が増大するだけでなく、長期信頼性が向上する。
技術概要
ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドp↑−ドリフト層、ダイヤモンドp↑+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極の周囲に絶縁膜層を設けたダイヤモンド半導体素子である。尚、絶縁膜層を形成する絶縁体が窒化物あるいは酸化物であり、絶縁体が、Si↓3N↓4、SiO↓2またはAl↓2O↓3である。また、高出力ダイヤモンド半導体素子がショットキーバリヤーダイオードである。更に、ショットキー電極の形状は、基板上のダイヤモンド半導体表面に形成された島状に点在する複数の電極から成るパターン電極である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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