| 出願番号 |
特願2007-251367 |
| 出願日 |
2007/9/27 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2009-081392 |
| 公開日 |
2009/4/16 |
| 登録番号 |
特許第5158763号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
高出力ダイヤモンド半導体素子 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
簡便な操作で得られ、ダイヤモンドショットキーバリアダイオード、ダイヤモンドトランジスタ、ダイヤモンド電界効果トランジスタ等の分野で広く利用される。 |
| 目的 |
金属とダイヤモンドのショットキー接合の中間層として、絶縁体を挿入することで、ショットキー障壁高さを高くし、低リーク電流で高い電圧まで動作する高出力ダイヤモンド半導体素子を提供する。 |
| 効果 |
ショットキーバリア高さを高くすることが出来るため、高出力ダイヤモンド素子の高電界印加時におけるリーク電流が減少し、また動作可能電圧が増大する。 |
技術概要
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ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドｐ↑−ドリフト層、ダイヤモンドｐ↑＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドｐ↑−ドリフト層の接合面の間に、中間層として誘電体層を形成したダイヤモンド半導体素子である。尚、誘電体層を形成する誘電体が窒化物あるいは酸化物であり、誘電体が、Ｓｉ↓３Ｎ↓４、ＳｉＯ↓２またはＡｌ↓２Ｏ↓３である。また、高出力ダイヤモンド半導体素子がショットキーバリヤーダイオードである。更に、ショットキー電極の形状は、基板上のダイヤモンド半導体表面に形成された島状に点在する複数の電極から成るパターン電極である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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