不純物イオン注入層の電気的活性化方法

開放特許情報番号
L2008000842
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-250833
出願日 2007/9/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-081359
公開日 2009/4/16
登録番号 特許第5142257号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 不純物イオン注入層の電気的活性化方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、高温・放射線等極限環境用素子や高周波及び高出力素子用の半導体基板等として広く利用される。
目的 ダイヤモンド基板に形成したホウ素イオン注入層を電気的に活性化させる方法を提供する。
効果 電気伝導を好適に制御できるダイヤモンド半導体を得ることができ、得られるダイヤモンド半導体は、ホッピング伝導を起こしにくい。
技術概要
ホウ素イオンをイオン注入することにより形成されたホウ素イオン注入層を有するダイヤモンド基板を熱処理することにより、注入層を電気的に活性化させる方法であって、(1)方法が、ホウ素イオンをイオン注入するのに先だって、ダイヤモンド基板に、水素イオンをイオン注入することにより水素イオン注入層を形成させた後、水素イオン注入層を熱処理する工程を含み、(2)水素イオン注入層における水素イオンの濃度が1×10↑1↑4〜1×10↑2↑0cm↑−↑3であり、(3)ホウ素イオン注入層におけるホウ素イオンの濃度が1×10↑1↑5〜1×10↑2↑0cm↑−↑3である。尚、エネルギーが1〜1000keVであるイオンビームにより水素イオン及びホウ素イオンをそれぞれ注入し、ホウ素イオン注入層を有するダイヤモンド基板を1400℃以上で熱処理する。更に、この方法により得られるダイヤモンド半導体を作製する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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