| 出願番号 |
特願2007-242734 |
| 出願日 |
2007/9/19 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2009-072976 |
| 公開日 |
2009/4/9 |
| 登録番号 |
特許第5004225号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
インプリントリソグラフィ用モールド製作方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、機械・加工 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
インプリントリソグラフィ用モールド |
| 目的 |
モールドのパターン密度に依存した残膜分布が発生することを防止する。 |
| 効果 |
インプリントリソグラフィにより基板上に用意された均一な膜厚のインプリント可能媒体をモールドにより加工する場合に、モールドのパターン密度に依存した残膜分布が発生するという問題に対して、所望のパターンに対してパターンの寸法変更や追加およびパターンの移動等の変更を伴なうことなく、残膜分布を均一化することができる。 |
技術概要
 |
インプリントリソグラフィに使用するモールドをマスクを用いたエッチングにより製作するモールド製作方法は、モールド面上に形成する所望のパターンを作製するための第１マスクＭ１と、第１マスクＭ１の開口部を部分的に覆う第２マスクＭ２とを用いてエッチングを行い、第２マスクＭ２はモールド面上に形成するパターンの開口率が高い程、第１マスクＭ１開口部を覆う面積を広くし、一定面積におけるモールド凹部の容積を均一化する。或いは最初から第１マスクと第２マスクを重ねた状態でエッチングを行い、第２マスクをエッチング遅延用マスクとして用いてエッチングを行う。モールド面上に形成するパターンの開口率の変化に応じて、一定面積におけるモールド凹部の深さを変化させ、一定面積あたりのパターンの容積を均一化したパターンを備える。このモールドによってこのモールドの反転形状のパターンを形成した複製モールドである。図１は、インプリントリソグラフィを説明する断面図である。図２は、粗密パターンの単位面積あたりのモールド凹部の容量を均一化するマスクパターンの例を示す平面図である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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