バナジウム酸化物薄膜パターン及びその作製方法

開放特許情報番号
L2008000808
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-236341
出願日 2007/9/12
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-067622
公開日 2009/4/2
登録番号 特許第5136976号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 バナジウム酸化物薄膜パターン及びその作製方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 バナジウム酸化物薄膜
目的 バナジウム酸化物薄膜パターン、その作製方法及びその部材を提供する。
効果 エッチング工程を経ることなく、バナジウム酸化物薄膜パターンを合成できる。エッチングダメージによるバナジウム酸化物の特性劣化を抑えることができる。エッチングによるバナジウムの廃棄を回避できる。
技術概要
APTS(3−Amino propyl triethoxy silane、H↓2NC↓3H↓5Si(OCH↓3)↓3)等を用いて、基表面にAPTS−SAM等を作製し、APTS−SAMに、フォトマスクを介して、真空紫外光照射を行い、露光領域を、アミノ基終端シランからシラノール基へと変性し、このアミノ基終端シラン表面とシラノール基表面を有するパターン化自己組織化単分子膜を、バナジウム酸化物のパターニングのためのテンプレートとして、液相でバナジウム酸化物を析出させてなるバナジウム酸化物薄膜パターン、その作製方法及びバナジウム酸化物系デバイスである。基板は、ガラス、シリコン、金属、セラミックス、又はポリマーの基板である。基板は、平板状、粒子、繊維、又は複雑形状の形態を有している。基板上に形成させたバナジウム酸化物薄膜を製造する方法は、基板上にアミノ基終端シラン表面とシラノール基表面を有するパターン化自己組織化単分子膜を作製し、このパターン化自己組織化単分子膜をバナジウム含有固体を析出する溶液反応系に浸漬し、バナジウム酸化物を液相で析出させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 未反応のバナジウムイオンは溶液中に残存するため、新しい基材を浸漬することにより、連続して成膜することが可能である。したがって、原料バナジウムをすべてバナジウム酸化物形成に使用できる。更に、液相からの析出反応を用いているため、複雑形状基材や粒子や繊維へのバナジウム酸化物コーティングも容易に行うことができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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