| 出願番号 |
特願2007-226022 |
| 出願日 |
2007/8/31 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2009-059902 |
| 公開日 |
2009/3/19 |
| 登録番号 |
特許第4621897号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
固体メモリ |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
固体メモリ |
| 目的 |
Ｔｅを主成分とするカルコゲン化合物の相変態を利用して、その結晶とアモルファス間に生じる電気抵抗又は光学的特性の相違をデータとして記録・消去する固体メモリ（相変化ＲＡＭ又はＰＲＡＭ）を提供する。 |
| 効果 |
Ｔｅを含むカルコゲン化合物を構成すれば、微結晶間の界面電気抵抗を極力低減し、従来の相変化ＲＡＭのデータ記録時の電流値を十分の一以下にすることができ、かつ繰り返し書き換え回数をこれまでより２〜３桁以上向上させることが可能な新規相変化ＲＡＭを提供することができる。 |
技術概要
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テルル（Ｔｅ）を主成分とする固体メモリであって、物質の相変態に起因して電気特性が変化するものであり、データを記録及び再生する材料が該相変態を生じる母相からなる薄膜の人工的な超格子構造の積層構造によって構成される固体メモリである。この固体メモリでは、積層構造は、ゲルマニウム（Ｇｅ）原子を含む合金薄膜及びアンチモン（Ｓｂ）原子を含む合金薄膜とから構成され、また、薄膜の膜厚は、０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下であり、さらに、ゲルマニウム（Ｇｅ）原子を含む合金薄膜からアンチモン（Ｓｂ）を含む合金薄膜との界面に向かってゲルマニウム（Ｇｅ）原子を異方性拡散させることによってデータを記録する。図１に、この構成の基本構造を示し、ＧｅＴｅ層の厚さは、約０．４ｎｍ、Ｓｂ↓２Ｔｅ↓３層の厚さは、約０．５ｎｍである。たとえば、スパッタリング法を用いてこの構造を構成する場合、ＧｅＴｅあるいはＳｂ↓２Ｔｅ↓３から構成された化合物ターゲットを用いて、予め時間当りの膜形成速度をスパッタリングのための投入電力パワーに対して測定しておけば、成膜時間とを管理するだけで簡単にこれらの膜からなる超格子構造を構成することが出来る。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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