| 出願番号 |
特願2007-225978 |
| 出願日 |
2007/8/31 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2009-059421 |
| 公開日 |
2009/3/19 |
| 登録番号 |
特許第4595125号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
固体メモリ |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
固体メモリ |
| 目的 |
相変化の一形態であるカルコゲン化合物の相分離（スピノーダル分離）を利用して、分離により生じる電気抵抗又は光学的特性の相違をデータとして記録・消去する相分離型固体メモリを提供する。 |
| 効果 |
Ｇｅを含まないカルコゲン化合物の複数の組成からなる超格子構造を形成することで、Ｇｅを含むカルコゲン化合物からなる相変化ＲＡＭの特性を大幅に向上することが可能となる。 |
技術概要
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固体メモリであって、物質の相分離に起因して電気特性が変化するものであり、データの記録及び再生材料が相分離により該電気特性に変化が発生する人工的な超格子の積層構造により構成されている固体メモリである。また、積層構造は、アンチモン（Ｓｂ）原子を含む合金薄膜とテルル（Ｔｅ）原子を含む合金薄膜とから構成される固体メモリである。薄膜の膜厚は、０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下である固体メモリである。この構成の基本構造を図１に示し、例えば、Ｓｂ↓２Ｔｅの場合、Ｓｂ層の厚さは約０．９ナノメートル、Ｓｂ↓２Ｔｅ↓３層の厚さは約０．８ナノメートルである。このような人工的な超格子は、スパッタリング法を用いて構成する場合、ＳｂあるいはＳｂ↓２Ｔｅ↓３から構成された化合物ターゲットを用いて（あるいは単体のターゲットを用いて）、予め時間当りの膜形成速度をスパッタリングのための投入電力パワーに対して測定しておけば、成膜時間とを管理するだけで簡単にこれらの膜からなる超格子構造を構成することが出来る。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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