| 出願番号 |
特願2007-223341 |
| 出願日 |
2007/8/30 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2009-059739 |
| 公開日 |
2009/3/19 |
| 登録番号 |
特許第5152836号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
ダイヤモンド薄膜積層体 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ダイヤモンド薄膜積層体 |
| 目的 |
半導体デバイス特性を改善できるダイヤモンドをエピタキシャル成長して形成されるダイヤモンド薄膜を有するダイヤモンド薄膜積層体を提供する。 |
| 効果 |
平坦面を有するダイヤモンド基板は、その表面上に異常成長粒子や成長丘等が１０↑３ｃｍ↑−上２以下であり、その上にダイヤモンド層を成長しても異常成長粒子や成長丘が１０↑３ｃｍ↑−上２以下の平坦面を備えるダイヤモンド膜が成長可能である。 |
技術概要
 |
ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板表面の異常成長粒子や成長丘の原因である転位、研磨傷等の欠陥部分の成長を抑制する物質をドープしてなる欠陥部分成長抑制ダイヤモンド薄膜層を備えるダイヤモンド薄膜積層体である。また、ダイヤモンド薄膜にドープされる物質はホウ素であり、濃度は１０↑２↑０〜１０↑２↑２ａｔｏｍｓ／ｃｍ↑３とすることができる。さらに、ダイヤモンド薄膜上に、ｐ↑＋ダイヤモンド層を備えることができる。また、ダイヤモンド薄膜上又はｐ↑＋ダイヤモンド層表面の凹凸において、基板の欠陥に起因する前記凹凸は１０↑３ｃｍ↑−↑２以下とすることができる。さらに、ダイヤモンド薄膜及びｐ↑＋ダイヤモンド層はマイクロ波プラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ）により得ることができる。また、ダイヤモンド基板は、｛００１｝、｛１１０｝又は｛１１１｝面を備えることができる。図１は用いた手順、図２は作製した試料の断面図の一例、図３は作製した試料の光学顕微鏡像である。 |
| イメージ図 |
|
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)
)
)