4端子型ダブルゲート電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2008000766
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2009-530137
出願日 2008/8/27
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2009/028524
公開日 2009/3/5
登録番号 特許第4595128号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 4端子型ダブルゲート電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 4端子型ダブルゲート電界効果トランジスタ
目的 システム内部で必要となる電圧源を増加させることなく可変閾値トランジスタの実現。
効果 システム内部で必要となる電圧源を増加させることなく可変閾値トランジスタを実現することができる。また、第2のゲートに入力する電圧の振幅が大きくならないため、充放電の時間が増加することがない。
技術概要
この技術では、半導体薄板の両面に、それぞれゲート絶縁膜を介して第1のゲート電極と第2のゲート電極を設け、半導体薄板の対向する両端にソース電極とドレイン電極をそれぞれ設ける4端子型ダブルゲートNチャネル電界効果トランジスタにおいて、第1のゲート電極の仕事関数と半導体薄板材料の電子親和力の差をポテンシャルとして表した値が、V↓(th,Lo,n)−V(th0,n)の値以下とする。ただしV↓(th,Lo,n)は、低閾値動作時の第1のゲート電極での閾値電圧の設計値であり、V(th0,n)は、前記の4端子型ダブルゲートNチャネル電界効果トランジスタと同一の素子構造中でN型に濃くドープされたゲート電極を第1乃至第2のゲート電極に用いて第1乃至第2のゲート電極を結線した3端子型ダブルゲートNチャネル電界効果トランジスタの閾値電圧とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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