光デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2008000763
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-220692
出願日 2007/8/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-122926
公開日 2008/5/29
登録番号 特許第5008076号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光デバイス、2次元フォトニック結晶スラブ光デバイス、薄膜スラブ構造
目的 2次元フォトニック結晶スラブ構造が代表する薄膜スラブ構造に適した、信頼性の高い電極製造方法の提供。
効果 複雑な工程を用いることなく、2次元フォトニック結晶スラブ構造が代表する薄膜スラブ構造の上下に、高密度の集積化に適した効果的な電極構造を導入することが可能となる。また、電極の製造と同時に、光デバイスを異なる基板上にハイブリッド集積することが可能となる。
技術概要
この技術では、光デバイスのコア層となるべき部位を有する第1の基板と光デバイスを集積させるための第2の基板を用意し、第2の基板上の一部に第1の電極配線を形成したのち、第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布する。そして、第1の基板のコア層となるべき部位を形成した側と第2の基板の第1の電極配線を形成した側とを接合し、接合した基板を加熱する。次いでコア層となるべき部位を残して第1の基板を除去したうえで、コア層となるべき部位に所望の加工を施してコア層とする。さらに、コア層上に低屈折率絶縁膜を形成し、コア層上の低屈折率絶縁膜上の一部に第2の電極配線を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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