| 出願番号 |
特願2007-217414 |
| 出願日 |
2007/8/23 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2009-054641 |
| 公開日 |
2009/3/12 |
| 登録番号 |
特許第5099486号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
高出力ダイヤモンド半導体素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
高出力ダイヤモンド半導体素子 |
| 目的 |
ｐ型ダイヤモンド上の選択領域に半絶縁性窒素ドープダイヤモンド層を形成することにより、電極縁辺の電界集中を抑えることが可能となり、高電界でも低リーク電流で高い電圧まで動作するダイヤモンド素子を提供する。 |
| 効果 |
高出力ダイヤモンド半導体素子の高電界印加時におけるリーク電流が減少し、また動作可能電圧を高くすることができる。 |
技術概要
 |
ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとするショットキー電極、ダイヤモンドｐ↑−ドリフト層、ダイヤモンドｐ↑＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドｐ↑−ドリフト層の接合面の一部に、ｐｎ接合層を設ける高出力ダイヤモンド半導体素子である。図１は窒素ドープダイヤモンド領域を用いたダイオードの断面図である。ｐ↑−基板をＳｉＯ↓２マスク等を用いることでエッチングし、エッチングを施した部位にＮ↓２ドープ半絶縁性ダイヤモンドを選択成長させることで実現する。あるいは、ｐ↑−基板上にイオン打ち込み技術を使ってＮ↓２をドーピングすることで実現することができる。そのようにしてできたＰＮ接合上にマスクを施し、ショットキー電極を設けることで耐圧構造を持つショットキーバリアダイオードとなる（ａ）。ｐ↑−基板にマスクを施し、Ｎ↓２ドープ半絶縁性ダイヤモンドを選択成長させることで作成される。そのようにしてできたＰＮ接合上にマスクを施し、ショットキー電極を設けることで耐圧構造を持つショットキーバリアダイオードとなる（ｂ）。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)