高出力ダイヤモンド半導体素子

開放特許情報番号
L2008000756
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2009/4/17

基本情報

出願番号 特願2007-217412
出願日 2007/8/23
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-054640
公開日 2009/3/12
発明の名称 高出力ダイヤモンド半導体素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 高出力ダイヤモンド半導体素子
目的 p型ダイヤモンド上の選択領域であるダイヤモンドp↑−ドリフト層に高比誘電率材料を形成することにより、ショットキー電極縁辺の電界集中を抑えることが可能となり、高電界でも低リーク電流で高い電圧まで動作する高出力ダイヤモンド半導体素子を提供する。
効果 局所的な電界の集中を低減することが出来るため、高出力ダイヤモンド素子の高電界印加時におけるリーク電流が減少し、また動作可能電圧が増大する。
技術概要
ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドp↑−ドリフト層、ダイヤモンドp↑+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドp↑−ドリフト層の接合面の一部に、誘電層を設け、さらに誘電層の外表面でかつショットキー電極の周囲面に、導電体からなるフィールドプレートを設けることにより、カソード電極付近の電界を緩和する高出力ダイヤモンド半導体素子である。図1は高誘電率絶縁膜利用耐圧構造を用いたダイオードの断面図である。フィールドプレートに用いる材料は、導電性材料であり、Pt、Pt−Ru合金、Pt−Ir合金等が利用できる。フィールドプレートを設ける位置は、ダイヤモンドp↑−ドリフト層の表面(ショットキー電極側)であり、ここにイオンスパッタ法、PLD法、RFスパッタ法等により、誘電層の外表面であり、かつショットキー電極の周囲面に設ける。誘電層の厚さは、ショットキー電極の厚さの約1/4〜3/4であり、誘電層の厚さとフィールドプレートの厚さの合計が、ほぼショットキー電極の厚さに等しくすることが望ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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