蛍光体薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2008000744
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-212153
出願日 2007/8/16
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-075073
公開日 2008/4/3
登録番号 特許第5116016号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 蛍光体薄膜の製造方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 金属酸化物蛍光体薄膜、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションデイスプレイ、有機EL、フラットパネルディスプレイ
目的 ガラスやシリコン基板上に結晶化したSrTiO↓3:Pr:Alを含む薄膜形成を可能にするとともに、レーザ照射後の膜を酸化雰囲気での熱アニールや溶液及び酸素雰囲気中で紫外線を照射することで、性能が高い蛍光体薄膜材料の製造方法の提供。
効果 ガラス基板やシリコン及び有機を含む基板上に低温で製造効率が良く、大量生産に適し、しかも蛍光体薄膜が優れた発光効率を得ることを可能とすることができる。
技術概要
 
この技術では、AがCa, Sr, Baより選ばれるアルカリ土類金属元素であり、 BがTi, Zr,より選ばれる金属元素であり、ABO↓3, A↓2BO↓4、A↓3B↓2O↓7の組成式で表される金属酸化物に、Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Luからなる群れより選ばれる元素を少なくとも一つ添加した金属酸化物、又は金属酸化物を形成することができる有機金属塩の薄膜を基板上に形成し、25〜500℃の温度に保持し、基板上の金属酸化物、又は有機金属塩の薄膜に紫外レーザを照射しつつ、結晶化を行うことにより、基板上に金属酸化物形成することで金属酸化物蛍光体薄膜を製造する。また、この蛍光体金属酸化物薄膜及び製造方法により製造した蛍光体膜にレーザ光を照射し、表面形状の起伏を大きくさせて蛍光強度を増大せしめるものとしてもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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