2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス

開放特許情報番号
L2008000741
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-207397
出願日 2007/8/9
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-043942
公開日 2009/2/26
登録番号 特許第5190924号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
技術分野 電気・電子、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、次世代LSI配線、半導体デバイス等の分野で広く利用される。
目的 多層カーボンナノチューブあるいは多層カーボンナノファイバー自体の直径の小ささを利用し、素子全体として20nm×20nm程度の極めて小さな抵抗スイッチ素子を、分子内包工程を必要としないより簡単な手法で、より優れた電気伝導率で提供する。
効果 化学気相反応法によって、大量に合成可能であり、分子内包などの手間を必要としない。かつ、多層カーボンナノチューブは、次世代LSI配線としても期待されるほど、電気伝導、熱伝導共に優れ、単層カーボンナノチューブよりも流すことができる電流量は大きい利点がある。
技術概要
多層カーボンナノファイバーをナノスケールの間隙幅をもって配置した、2端子抵抗スイッチ素子である。尚、間隙幅をもって配置した多層カーボンナノファイバーに電極を設け、多層カーボンナノチューブをナノスケールの間隙幅をもって配置し、間隙幅をもって配置した多層カーボンナノチューブに電極を設け、間隙幅は、0.1nm〜20nmの範囲である。また、2端子抵抗スイッチ素子を組み込んだ半導体デバイスを作製する。更に、2端子抵抗スイッチ素子は、ナノスケールで向かい合った多層カーボンナノチューブに電圧を印加することにより電気的スイッチを実現するものである。印加した電圧をゆっくりとOVに近づけるとスイッチがOnになり、逆に瞬時にOVに近づけるとスイッチがOffになる素子である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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